 |
- ⒶⒸМотт Н.Ф... Электронные процессы в ионных кристаллах. (Electeonic processes in ionic crystals, 1948) [Pdf-Fax-14.4M] Авторы: Невилл Фрэнсис Мотт, Рональд Уилфрид Герни (Nevill Francis Mott, Ronald Wilfrid Gurney). Перевод с английского: Б.И. Болтакс, Т.А. Конторова, С.М. Рыбкин. Предисловие: А.Ф. Иоффе. Редактор: А.Ф. Иоффе.
(Москва: Издательство Иностранной литературы, 1950)
Скан, обработка, формат Pdf-Fax: derevyaha, fire_varan, 2023
- ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (5).
Введение (7).
Глава I. Идеальная ионная решетка (9).
1. Введение (9).
2. Силы сцепления в ионных кристаллах; теория (9).
3. Силы сцепления; сравнение с опытом (15).
4. Полярная и гомеополярная связь (17).
5. Диэлектрическая постоянная (19).
А. Поляризуемость ионов (19).
Б. Диэлектрическая постоянная в статических полях (29).
6. Колебания решетки в ионных кристаллах (33).
Литература (36).
Глава II. Дефекты решетки в тепловой равновесии (38).
1. Различные типы дефектов в решетке (38).
2. Степень беспорядка; подробные формулы (42).
3. Диффузия дефектов решетки (46).
4. Электролитическая проводимость полярных кристаллов (50).
5. Ионная проводимость и теория дефектов в кристалле (54).
6. Подвижность и энергия активации (59).
7. Теоретический расчет энергии активации (71).
8. Кристаллы с аномально высокой ионной проводимостью (77).
9. Дополнение. Теоретический вывод соотношения Эйнштейна между подвижностью v и коэффициентом диффузии D заряженной частицы (78).
Литература (79).
Глава III. Электроны в полярных кристаллах (80).
1. Электроны в периодическом поле (80).
2. Методы описания сил сцепления в твердых телах; атомная модель (Гейтлер - Лондон) и модель объединенных электронов (Блох) (81).
Положительные дырки (84).
3. Электроны в полярных кристаллах (85).
4. Положительные дырки в ионных кристаллах (91).
5. Захват электронов неоднородностями кристаллической решетки (98).
А. Захват электронов дефектами решетки (98).
Б. Поверхностные уровни (104).
В. Захват электронов идеальной кристаллической решеткой по Ландау (104).
6. Поглощение света неметаллами (107).
7. Поглощение щелочно-галоидных кристаллов в ультрафиолетовой области (112).
8. Спектры поглощения других полярных кристаллов (119).
9. Спектры поглощения, обусловленные примесями и захватом электронов (121).
10. Абсолютное значение коэффициента поглощения (122).
11. Фотопроводимость (123).
12. Средняя длина свободного пробега электрона в изоляторе (124).
Литература (129).
Глава IV. Центры окрашивания в щелочно-галоидных соединениях и связанные с ними явления (131).
1. Кристаллы нестехиометрического состава (131).
2. Модель центров окрашивания (133).
3. Спектр поглощения электрона, захваченного вакантным узлом решетки (136).
4. Фотопроводимость изолирующих кристаллов (139).
5. Сдвиг фотоэлектронов (146).
А. Щелочно-галоидные кристаллы с центрами окраски (146).
Б. Фотоэлектроны в других кристаллах (154).
6. Температурная зависимость фототока (156).
А. Щелочно-галоидные кристаллы (156).
Б. Другие изолирующие кристаллы (160).
7. Перемещение F-центров (162).
8. Кристалл в тепловом равновесии с паром (166).
9. Образование F-центров из U-центров (170).
Литература (175).
Глава V. Полупроводники и изоляторы (176).
1. Различные типы полупроводников (176).
2. Изменение проводимости с температурой (181).
3. Соотношение между тепловой и оптической энергиями активации (185).
4. Обсуждение некоторых экспериментальных данных, касающихся полупроводников (187).
5. Подвижность электронов в полупроводниках (192).
6. Контакт металла с изолятором (193).
7. Контакт металла с полупроводником (199).
8. Выпрямление на границе между металлом и полупроводником (202).
9. Вторичные фототоки в изоляторах (211).
10. Фототок в полупроводниках (214).
11. Фотоэлектродвижущие силы и свойства вентильных фотоэлементов (218).
12. Проводимость в очень сильных полях (221).
13. Пробой диэлектриков (222).
Литература (226).
Глава VI. Люминесценция и рассеяние энергии (229).
1. Введение (229).
2. Затухание послесвечения (235).
3. Рассеяние энергии в виде тепла. Условия возникновения люминесценции и зависимость флуоресценции от температуры (246).
4. Нефотопроводящие фосфоры, активированные примесями. Щелочно-галоидные фосфоры, активированные таллием (250).
Литература (253).
Глава VII. Фотохимические процессы в галоидах серебра и скрытое фотографическое изображение (254).
1. Фотохимическое восстановление галоидов серебра (254).
2. Явление «видимого потемнения» (256).
3. Скорость роста крупинок серебра (260).
4. Скрытое изображение (262).
5. Химическое проявление (263).
6. Размеры скрытого изображения (266).
7. Влияние низких температур на образование скрытого изображения (267).
8. Влияние температуры на первичный процесс (270).
9. Сенсибилизация красителями (270).
10. Эффект Гершеля (272).
11. Нарушение закона взаимности (274).
12. Дополнение (276).
Литература (277).
Глава VIII. Процессы, связанные с переносом: ионов и электронов (279).
1. Окисление металлов (279).
2. Восстановление ионных кристаллов (293).
Образование ядер (296).
Литература (299).
Дополнение. Значения ионных радиусов (в см x 10\-8) (300).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Авторы книги «Электронные процессы в ионных кристаллах» поставили перед собой задачу описать основные закономерности электронных процессов, имеющих место в ионных кристаллах, и облечь их в четкую математическую форму, пользуясь в основном аппаратом квантовой механики. Им удалось в сравнительно простой форме изложить многие сложные вопросы и сделать их доступными не только теоретикам, но и экспериментаторам.
Книга будет полезна для физиков, изучающих полупроводники, и для инженеров, работающих в одной из областей их применения. |
 |
