 |
- ⒶⒸРеньян В.Р. Технология полупроводникового кремния. (Technology Semiconductor Silicon) [Djv-10.5M] [Pdf- 8.5M] Автор: Волтер Р. Ренян (Walter R. Runyan). Перевод с английского Туровского Б.М., Нашельского А.Я., Шушлебиной Н.Я., Баташева В.И., Королькова А.Г. Под редакцией Шашкова Ю.М.
(Москва: Издательство «Металлургия», 1969)
Скан, обработка, формат Djv: ???, предоставил: Михаил, 2013; формат Pdf: звездочет, 2024
- КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие автора (5).
Глава I. Историческая справка (7).
Глава II. Методы получения полупроводникового кремния (12).
Глава III. Литье кремния (28).
Глава IV. Выращивание кристаллов (44).
Глава V. Ориентировка и форма кристаллов (115).
Глава VI. Легирование (139).
Глава VII. Диффузия (157).
Глава VIII. Электрические свойства (218).
Глава IX. Оптические свойства (239).
Глава X. Общие физические свойства и механическая обработка кремния (267).
Глава XI. Поведение примесей в кремнии (290).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Приводится большой материал по физико-химическим, электрическим, оптическим и механическим свойствам кремния, технологическим процессам получения кремния (химическим методам получения кремния, выращиванию монокристаллов и пленок, легированию) и его использованию (приготовлению оптических элементов, диффузии, резки и т.д.).
Предназначается для инженеров, конструкторов, проектировщиков металлургической и электронной промышленности. Может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области получения и использования кремния. |
![]() |
