 |
- ⒶⒸСпиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. [Djv- 8.8M] [Pdf-10.1M] Издание 2-е, исправленное и дополненное. Автор: Николай Спиридонович Спиридонов. Художник переплета: Г.Г. Рябоконь.
(Киев: Издательство «Техника»: Редакция литературы по энергетике, электронике, кибернетике и связи, 1975)
Скан: AAW, OCR, обработка, формат Djv, Pdf: pohorsky, 2022
- ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (3).
Глава 1. Физические процессы в биполярных транзисторах (5).
1. Носители зарядов в равновесном полупроводнике (5).
2. Явления переноса носителей в полупроводнике (9).
3. Электронно-дырочный переход (15).
4. Устройство и принцип действия биполярного транзистора (27).
5. Схемы включения. Коэффициент усиления по току (36).
6. Технологические методы изготовления транзисторов (40).
Глава 2. Математические модели биполярных транзисторов (48).
1. Требования, предъявляемые к математическим моделям транзистора (48).
2. Классификация моделей транзисторов (52).
3. Модели транзисторов с параметрами цепи (61).
4. Построение математических моделей транзистора на основе решения уравнений физических процессов (72).
5. Модель транзистора, полученная прямым решением уравнения переноса (79).
6. Модель с сосредоточенными параметрами (модель Линвилла [5, 33, 154]) (84).
7. Зарядоуправляемая модель (89).
8. Модель Эберса - Молла (92).
Глава 3. Анализ процессов в биполярном транзисторе на постоянном токе. Статические модели транзистора (94).
1. Распределение плотности инжектированных носителей в базе транзистора в одномерном приближении (94).
2. Распределение плотностей диффузионного и дрейфового токов в базовой области биполярного транзистора (101).
3. Решение уравнения переноса носителей в базовой области биполярного транзистора при постоянном токе (104).
4. Распределение плотности неравновесных носителей в пассивной области базы. Токи в пассивной области (108).
5. Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в активном режиме (112).
6. Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в режиме насыщения (118).
7. Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в режиме запирания (122).
8. Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой (124).
9. Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером (135).
Глава 4. Частотные свойства биполярного транзистора (144).
1. Время пролета неосновных носителей в базе (144).
2. Решение уравнения переноса носителей биполярного транзистора для переменного тока (153).
3. Частотная зависимость коэффициента переноса носителей биполярного транзистора. Предельная частота wb (159).
4. Частотная зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером (173).
5. Граничная частота усиления по току (176).
6. Время переноса носителей через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора (179).
7. Максимальная частота генерации транзистора (181).
8. Предельная частота усиления по току реального транзистора (184).
9. Определение предельной частоты wb теоретической модели по известной предельной частоте реального транзистора wa (190).
Глава 5. Малосигнальные модели биполярного транзистора (193).
1. Методы составления электрических моделей транзисторов на малом сигнале (193).
2. Частотные зависимости характеристических проводимостей внутреннего транзистора (195).
3. П-образная эквивалентная схема внутреннего транзистора (201).
4. Т-образная эквивалентная схема внутреннего транзистора (208).
5. Омические сопротивления базы и коллектора (211).
6. Барьерные емкости p-n-переходов и индуктивности выводов транзистора (222).
7. Эквивалентные схемы биполярного транзистора, учитывающие внешние параметры (226).
Глава 6. Переходные процессы в биполярных транзисторах. Динамические модели транзисторов для большого сигнала (233).
1. Принцип действия транзисторного ключа (233).
2. Стационарные состояния транзисторного ключа (235).
3. Общие сведения о переходных процессах в транзисторе (240).
4. Длительность задержки включения транзисторного ключа (247).
5. Анализ переходных процессов в транзисторе методом прямого решения дифференциальных уравнений в частных производных Г. (251).
6. Анализ переходных процессов методом заряда (256).
7. Нелинейная динамическая модель транзистора для большого сигнала при однополюсной аппроксимации частотной зависимости а (263).
Глава 7. Особенности интегрального биполярного транзистора (269).
1. Конструкция и технология изготовления интегральных транзисторов [5, 18,58, 167] (269).
2. Модели трехпереходного интегрального транзистора (273).
3. Влияние паразитных связей на параметры интегральных транзисторов (281).
Глава 8. Анализ процессов в транзисторе с участком тормозящего поля в базе (284).
1. Особенности распределения примесей в транзисторах, изготовляемых многократной диффузией (284).
2. Транзистор с тормозящим полем в базовой области (285).
3. Коэффициент переноса носителей в транзисторе с участком тормозящего поля (291).
4. Расчет времени пролета носителей и граничной частоты усиления дрейфового транзистора с участками тормозящего и ускоряющего полей в базовой области (295).
Глава 9. Зависимость параметров транзистора от режима работы и температуры (299).
1. Анализ процессов переноса носителей в базе транзистора при большом уровне инжекции на постоянном токе (299).
2. Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером при большом уровне инжекции (305).
3. Зависимость граничной частоты усиления транзистора от уровня инжекции (308).
4. Влияние температуры на параметры транзистора (310).
5. Тепловые характеристики транзистора (316).
Глава 10. Полевые транзисторы с изолированным затвором (322).
1. Физические процессы в МДП-транзисторах (322).
2. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора (333).
3. Параметры и эквивалентные схемы МДП-транзисторов в режиме усиления малых сигналов (339).
4. Работа МДП-транзистора в переключающих устройствах (345).
Литература (351).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов. |
 |
